在功率半導(dǎo)體器件向小型化、集成化、大功率、低功耗方向發(fā)展的同時(shí)，半導(dǎo)體器件的特性測(cè)試對(duì)測(cè)試系統(tǒng)也提出了越來(lái)越高的要求，需要測(cè)試設(shè)備在大功率、低噪聲、高精度和高速采集等方面提升性能，使之具備更高的電壓、電流、精度、靈敏度等測(cè)試能力，能夠支持測(cè)量各種功率范圍的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)器件檢測(cè)相比，第三代半導(dǎo)體材料器件需要精度更高、靈敏度更高的測(cè)試產(chǎn)品。博電科技20多年深耕電氣檢測(cè)產(chǎn)品研發(fā)，持續(xù)研發(fā)并掌握相關(guān)核心技術(shù)，持續(xù)推進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)試驗(yàn)檢測(cè)技術(shù)和設(shè)備研發(fā)制造。
博電科技打破國(guó)外技術(shù)壟斷，成為國(guó)內(nèi)唯一一家自主研發(fā)功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備的廠商，測(cè)試對(duì)象包括IGBT單芯片與IGBT模塊測(cè)試，測(cè)試內(nèi)容涵蓋靜態(tài)特性檢測(cè)、動(dòng)態(tài)特性檢測(cè)、功率循環(huán)檢測(cè)、高壓局放檢測(cè)、功率分析檢測(cè)等方面，測(cè)試最高電壓5kV、測(cè)試電流最大5000A，可滿足市場(chǎng)上全部型號(hào)IGBT的測(cè)試，可廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)，助推中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
客戶專注于器件研發(fā)，在功率器件測(cè)試上有較大的驗(yàn)證需求。在中美貿(mào)易戰(zhàn)爆發(fā)后，客戶受到相關(guān)技術(shù)制約。由于缺少關(guān)鍵驗(yàn)證手段，器件研發(fā)進(jìn)度受到很大影響。在此背景下，客戶找到我司為其定制可替代競(jìng)品公司的靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)，且在關(guān)鍵技術(shù)上不受貿(mào)易戰(zhàn)制約。
該公司專注于車規(guī)級(jí)器件研發(fā)、代工及銷售服務(wù)，該公司在接到客戶代工需求時(shí)，客戶需針對(duì)代工環(huán)境完成可靠性及穩(wěn)定性驗(yàn)證，驗(yàn)證要求在保證測(cè)試效率下使用100M千分之一精密電阻完成200次測(cè)試，誤差均不大于2%。
7月17日，由北京博電新力電氣股份有限公司自主研制的半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試設(shè)備順利通過(guò)某知名院所預(yù)驗(yàn)收。驗(yàn)收組專家聽取了博電電氣的產(chǎn)品研制情況匯報(bào)，現(xiàn)場(chǎng)查看測(cè)試情況。專家組成員對(duì)博電測(cè)試產(chǎn)品的測(cè)試結(jié)果滿意，一致同意該設(shè)備通過(guò)預(yù)驗(yàn)收。
